美芯晟最新推出的DTOF傳感器MT3805SD，采用先進(jìn)的55nm DTOF工藝，同時(shí)集成EEPROM存儲(chǔ)單元，核心性能與應(yīng)用便捷性兼具。該芯片融合了美芯晟自研的SPAD器件設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)，具備超低工作功耗。其內(nèi)置的8KB EEPROM支持在芯片內(nèi)部存儲(chǔ)算法固件和標(biāo)定參數(shù)，且支持多次更新。MT3805SD高度集成SPAD、算法處理模塊、Cortex M0內(nèi)核、940nm VCSEL及光學(xué)濾光片，可廣泛適配掃地機(jī)器人、割草機(jī)器人等設(shè)備的測(cè)距、避障需求，為終端場(chǎng)景提供高效、緊湊的智能感知與測(cè)距解決方案。

• 全集成模組，包含光源、濾光片和接收處理芯片，OLGA12封裝
  

• 內(nèi)置M0內(nèi)核， 支持客戶(hù)應(yīng)用算法定制，滿(mǎn)足多樣化應(yīng)用場(chǎng)景
  

• 集成8KB EEPROM存儲(chǔ)空間，支持存儲(chǔ)算法固件和多次標(biāo)定參數(shù)
  

• 精確飛行時(shí)間測(cè)距，0.02m-5.00m測(cè)距范圍誤差<4%
  

• 集成溫度傳感器，可實(shí)時(shí)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，保證溫度變化時(shí)的檢測(cè)準(zhǔn)確度
  

• 芯片接口支持3.3V/1.8V/1.2V電壓，廣泛兼容各種平臺(tái)
  

• 優(yōu)異的EMI特性和抗陽(yáng)光性能
  

■  55nm DTOF 工藝

MT3805SD采用先進(jìn)的55nm DTOF工藝，憑借其工藝創(chuàng)新與高集成度優(yōu)勢(shì)，在兼顧高性能、低成本與可靠性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了更高的工作頻率與更低的運(yùn)行功耗。芯片接口支持3.3V/1.8V/1.2V電壓，適用于1.2V低功耗新平臺(tái)，待機(jī)模式下的電流<10μA,測(cè)距模式下的電流<20mA，工作模式下最低電流小于18μA，滿(mǎn)足各種低功耗產(chǎn)品的需求。

■  內(nèi)置8KB EEPROM

MT3805SD 芯片的核心亮點(diǎn)，在于集成了專(zhuān)屬 EEPROM存儲(chǔ)空間。這一設(shè)計(jì)可將算法固件與標(biāo)定參數(shù)直接內(nèi)置存儲(chǔ)于芯片內(nèi)部，無(wú)需額外搭配外置 MCU承擔(dān)存儲(chǔ)功能，能為客戶(hù)終端方案顯著節(jié)省硬件空間占用與物料成本，有效簡(jiǎn)化方案設(shè)計(jì)流程。更具優(yōu)勢(shì)的是，該 EEPROM 的存儲(chǔ)內(nèi)容支持在線(xiàn)多次擦寫(xiě)更新，可靈活適配不同應(yīng)用場(chǎng)景下的參數(shù)調(diào)整與算法迭代需求，極大提升了應(yīng)用靈活性。

■  自研SPAD器件設(shè)計(jì)

MT3805SD 芯片搭載了公司自主研發(fā)的 SPAD（單光子雪崩二極管）器件設(shè)計(jì)及配套工藝技術(shù)。作為DTOF（直接飛行時(shí)間）傳感器的核心功能器件，SPAD 的性能直接決定傳感器的測(cè)距精度、響應(yīng)速度與功耗水平。公司通過(guò)對(duì) SPAD 器件工藝參數(shù)的精細(xì)化調(diào)試及尺寸結(jié)構(gòu)的迭代優(yōu)化，使芯片性能實(shí)現(xiàn)顯著提升，不僅充分彰顯其在核心器件領(lǐng)域的研發(fā)創(chuàng)新實(shí)力，更直接強(qiáng)化了產(chǎn)品在消費(fèi)電子、機(jī)器人等應(yīng)用場(chǎng)景的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，為 DTOF系列產(chǎn)品規(guī)?；涞氐於夹g(shù)基礎(chǔ)。